势阱 การใช้

• 类抛物二维周期势阱中的原子状态
• 爱因斯坦凝聚体在光势阱中的量子隧穿
• 算法求解一维无限深势阱的本征问题
• 中暗孤子在抛物势阱中的动力学
• 重力水平的提高会使悬浮势阱变浅甚至消失。
• 结果进一步显示，只考虑方形势阱的量子力学结果，略高估计了阈电压，且低估了电子密度。
• ( 2 )当施主离子位于势阱中心时，杂质的束缚能随着电场强度的增大而减小。
• 比较了倾斜磁场作用下的双势阱和含有4次方的势阱两种情况下系统的经典混沌运动特征。
• 从粒子质量、势阱深度、晶格常数的变化等方面讨论了其对薄膜两种材料的切向导热系数的影响。
• 胡斑比、陈贺胜等人及其合作者研究了一类描述一维无限深势阱中的受击粒子的分段光滑保面积映射。
• 本文中我们研究了比较简单的二粒子系统，系统由一维无限深势阱中质量为m . = mz二m的两个无自旋的全同粒子构成。
• 通过对所得数据的分析，我们得到了光电子寿命以及复合事件的数量和速率对势阱密度和深度的依赖关系。
• 基于smerzi等人的工作，在第二章主要讨论了对称不含时势阱情况下系统的位相振荡和宏观量子自囚。
• 虽然以现代的眼光看，它效率很低，但这船可以靠它四个巨大的重力势阱发生器模拟行星大小的质量，从而阻止当时的超光速推进器的使用。
• 外加电场对矩形量子阱线中浅施主杂质束缚能的效应是由montes等人提出的，他们采用变分法讨论了无限深势阱的量子线结构。
• )和分子质心位矢( ? ) 。分子取向态可用分子绕长轴自转角动量本征态描述；分子质心态可用质点在谐振子势阱中的能量本征态来描述。
• 再考虑到r |局限在空间一个小区域内，可采用格胞模型，格胞中心构成空间点阵，分子质心r |的量子态相当于谐振子势阱中的质点。
• 本文考虑到实际的材料中的杂质问题，而引入了双势阱，考察势阱底部的起伏对系统混沌运动的影响，主要进行了以下两个方面的工作： 1
• 而势阱深度的改变则两种材料的导热性能会相互产生影响，但在晶格不匹配时，超晶格薄膜的界面出现了应变，两者的导热系数均会产生较大的变化。
• ( 3 )当施主离子位于势阱中不同位置时，零电场下量子阱线中的杂质态是关于施主离子位置中心对称的简并态，在外加电场作用下发生能级分裂，这种简并不再存在;杂质的stark能移由于施主离子位置的不同表现为红移或蓝移。