蓝移 การใช้

• 蓝移会持续下去到任意短的距离。
• 当znse生长时间缩短时，其77k的pl谱峰蓝移增大。
• 多孔硅与dbo ppv复合后，使多孔硅的一个发光峰发生蓝移。
• 随著霍金光子越来越靠近黑洞，它会蓝移到一个较高的频率与相对较短的波长。
• Tio _ 2薄膜的吸收限随着n _ 2o流量的增加，先红移后蓝移。
• 分析认为纳米氧化锌的量子尺寸效应既是其吸收紫外线的主要原因，也是其紫外吸收峰蓝移的主要原因。
• Pva与pan的相互作用影响复合材料的uv - vis吸收光谱，复合材料的uv - vis吸收光谱与pan相比发生了不同程度的蓝移。
• 本研究中小的二氧化钛晶粒导致了tio _ 2的晶格畸变，进而增大了tio _ 2的禁带宽度，表现在光吸收谱的蓝移。
• Pbs纳米粒子的紫外吸收带边与其体相材料相比发生了蓝移，表现出明显的量子尺寸效应。
• 这种特性使大家预测将出现许多奇特的现象，例如反转的都卜勒效应（朝向波而前进会造成红移，而不是蓝移） 。
• 多孔氧化铝dbo干pv复合体系的pl谱出现了四个峰，多孔氧化铝的峰位置没有发生改变， dbo ppv的三个峰发生了90urn的蓝移。
• 结果发现,在一定薄膜厚度范围内,紫外发光带和光学吸收边均随着薄膜厚度的减小而单调蓝移,且紫外发光强度递增,峰宽变大。
• 同样，在向我们靠近的恒星的光谱上，特征谱线会显示“蓝移” ，即谱线移向蓝端，就是说波长短而频率高。
• 经氧化研磨或研磨的样品在低温下有较高的发光强度，发光主峰位于2 . 02ev ，在2 . 13ev有一弱峰，室温下发光峰发生蓝移。
• 结果表明随著微腔半径的减小腔模能量蓝移，腔模与相应的重空穴激子模、轻空穴激子模藕合形成的腔极化激元的三支随著微腔半径的减小存在明显的反交叉行为。
• 同时，发现了纳米晶一些新奇的发光性质，即：发射光谱蓝移现象，激发光谱红移中电荷迁移带( ctb )明显红移，猝灭浓度提高等。
• 光吸收特性研究表明，因量子限域效应，对于ge - sio _ 2薄膜观察到较强的光吸收和光吸收边随ge颗粒尺寸变小而蓝移的现象。
• 当纳米粒子的尺寸小于其块状材料的激子波尔半径时(如cds的激子波尔半径为6nm ) ,能够表现出明显的量子尺寸效应(如能带离散,禁带变宽,光谱蓝移等) 。
• 10 ~ ( 17 ) cm ~ ( - 2 )样品峰位蓝移，是由于xe以气泡形式析出，改变了缺陷形态、使缺陷的分立尺寸减小，纳米粒子的量子尺寸效应变得明显，导致能隙展宽。
• 纳晶吸收谱及二次微分谱的测量结果表明，纳晶在室温出现了三个激子吸收峰，第一激子吸收峰随纳晶半径减小而增强，同时清楚地观察到纳晶受限导致的光谱蓝移。